产品中心
当前位置:首页 > 产品中心 > 外延晶圆系列 > III-V族外延晶圆生长 > III-V族外延晶片
产品分类CLASSIFICATION
相关文章ARTICLES
详细介绍
品牌 | 其他品牌 | 供货周期 | 两周 |
---|---|---|---|
应用领域 | 环保,化工 |
III-V族外延晶片 波兰VIGO公司成立于1993年,拥有一支超过30年红外探测器研究经验的资深专家队伍,是MCT/InAs/InAsSb探测器的设计者和制造商,提供低温制冷的红外探测器、III-V族外延片,覆盖1-16μm光谱范围,同时提供探测器模块、前置放大器、TEC温控等组件和解决方案。提供VCSEL晶圆和InGaAs晶圆。
VIGO的ENT外延部门生产III-V(GaAs-,InP-)相关的半导体化合物,在外延方面有35年的经验,并且能够根据客户需求提供定制服务。VIGO利用MOCVD外延技术制备了二元、三元、四元和五元三-五元化合物半导体的原子工程外延层,具有德国柏林厂商Laytec的监控生产系统,拥有水平层流反应器,进行基片载流子的多次旋转产品。这条新产品线扩展了VIGO公司的产品组合,为各种微电子和光子应用提供外延服务,下游的应用包含三极管,二极管,激光器,探测器等。具有以下特点:
外延纳米技术,超越单一技术解决方案
大规模生产或小批量制造,提供多类优质外延片
生产的高级III-V族化合物半导体外延结构,被广泛运用于光子设备(F-P、VCSEL、QCL激光器、光电探测器)、微电子设备(二极管、晶体管)
聚焦无线、电信、传感或打印领域的高度创新型产品,可提供全面的研发服务。
超高纯度
精确控制厚度在±1nm
优秀的均匀性
重现性
可外延尺寸 2, 3, 4,8英寸
XRD曲线:
产品纯度一致性:
表面粗糙度:
量子井:
半导体类型:
场效应晶体管,被动器件,高迁移率晶体管
EEL,SOAs1300-1600 nm,VCSELs(例850nm),DBR,QuantumDots
LED(550nm to infrared) ,Microwave ,Schottky,High-Brightness
InGaAs, AlGaAs探测器,SWIR, LWIR
外延晶圆类型:
GaA based – GaAs,AlxGa1-xAs,InxGa1-xAs,In1-(y+z)GayAlzAs,In0.5(Ga1-xAlx)0.5P
InP based – InP,In0.53Ga0.47As,In0.52Al0.48As,InxGa1-xAsyP1-y,(AlxGa1-x )InyP1-y
GAAS BASED PRODUCTS | INP BASED PRODUCTS | ||
AlGaAs/GaAs | QW edge emitting lasers
VCSELs FETs, HEMTs, Schottky diodes varactors | InGaAsP/InP | strained or matched QW edge emitting lasers and SOAs 1300 – 1600nm |
GaAsP/GaAs | strained QW edge emitting lasers | InGaAs/InP | QW edge emitting lasers |
InGaAsP/GaAs | QW lasers 808nm | InGaAsP/InP | VCSEL structures |
InGaAs/AlGaAs/GaAs | strained QW lasers | InAlGaAs/InP | edge emitting and VCSEL structures |
InAs/GaAs | QD lasers | InGaAsP/InP | passive devices |
AlGaAs/GaAs | passive waveguides | InGaAs | photodetectors |
Manufactured to specification | InAlAs/InGaAs/InP | HEMTs | |
Manufactured to specification |
产品咨询